時光的印記里，藏著電子科技發(fā)展的密碼；創(chuàng)新的序章中，記錄著從無到有的跋涉。電科信物欄目用文字還原老故事，用鏡頭留存老物件，讓見證電子科技進步的信物“發(fā)聲”，讓銘刻創(chuàng)新發(fā)展的歷史“說話”。
邀你成為時光見證者，一起踏上這段有溫度、有觸感的尋物旅程。讓我們跟隨這些“時光見證者”，聆聽電子科技從篳路藍縷到星辰大海的澎湃回響。
新中國第一塊砷化鎵微波低噪聲單片集成電路
在1956年“向科學進軍”的號召下，半導體技術(shù)被列為國家四大緊急措施之一。
中國電科55所從1958年建所初期，就開始了第一代半導體鍺、硅兩端器件的研究，并成功研制出國內(nèi)第一塊片狀鍺單晶。
鍺單晶
1968年，55所緊盯國際半導體技術(shù)發(fā)展前沿，開始了第二代半導體砷化鎵晶體管研制，并在70年代開始砷化鎵場效應(yīng)晶體管研究，開始向微波毫米波半導體三端器件和微波單片集成電路方向發(fā)展。
一代材料、一代器件
微波單片集成電路技術(shù)（MMIC）具有小型化、高性能、低成本等優(yōu)勢，可以廣泛應(yīng)用在陸海空天各型裝備中，當時被喻為一項頂級戰(zhàn)略性技術(shù)。1977年，當55所原總工程師林金庭提出這一研究構(gòu)想時，還查不到相關(guān)技術(shù)文獻報道。“國家有需要，55所人就去干”！秉持著這一使命，55所“微波單片集成放大器課題組”成立。
課題組克服了實驗室硬件條件不足等困難，沒有條件創(chuàng)造條件，自己動手研制實驗設(shè)備，經(jīng)過兩年多的艱苦奮斗，在1980年，成功研制出新中國第一塊砷化鎵低噪聲微波單片集成電路，研究成果被評為“六五”國家科技攻關(guān)優(yōu)秀成果。同年，55所研制的砷化鎵雙柵場效應(yīng)晶體管也獲得國家科學技術(shù)進步一等獎。
技術(shù)突破了就要上裝備
為了提高批產(chǎn)能力，1985年，55所承接了國家重點項目微波電路生產(chǎn)線建設(shè)工程，先后建立了國內(nèi)第一條2、3、4英寸砷化鎵微波器件研制線，實現(xiàn)了小片到標準晶圓的躍升，滿足了相關(guān)裝備自主保障需求，并保證了載人航天、探月等一批重大工程。
如今，老一輩科研人員創(chuàng)業(yè)的精神依然熠熠生輝，激勵著年輕一代55所人矢志強芯固基，在勇爭第一、創(chuàng)新圖強的道路上堅定不移地向前進！
